Study of device parameters for analog IC design in a 1.2$\mu$m CMOS-SOI technology after 10 Mrad

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Faccio, F, Heijne, Erik H M, Jarron, Pierre, Glaser, M, Rossi, G, Avrillon, S, Borel, G
Lenguaje:eng
Publicado: 1992
Materias:
Detectors and Experimental Techniques
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/246112
Descripción
Descripción no disponible.

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