As-implanted lattice site of dopants in semiconductors

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Hofsäss, H C, Linder, G, Winter, S, Besold, B, Recknagel, E, Weyer, G, Petersen, J W
Lenguaje:eng
Publicado: 1986
Materias:
Other Fields of Physics
Acceso en línea:https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.10-12.1183
http://cds.cern.ch/record/264811
Descripción
Descripción no disponible.

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