Diffusion of ion implanted Sn and Sb in heavily doped silicon

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Andersen, P E, Nylandsted-Larsen, A, Tidemand-Petersson, P, Weyer, G
Lenguaje:eng
Publicado: 1988
Materias:
Other Fields of Physics
Acceso en línea:https://dx.doi.org/10.1063/1.99823
http://cds.cern.ch/record/264828

Internet

https://dx.doi.org/10.1063/1.99823
http://cds.cern.ch/record/264828

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