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Essais de longue durée des transistors soumis aux radiations dans le tunnel du P. S.: 1ère Partie (jusqu’à 800 h)
| Autor principal: | |
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| Lenguaje: | fre |
| Publicado: |
1960
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://cds.cern.ch/record/2832696 |