Essais de longue durée des transistors soumis aux radiations dans le tunnel du P. S.: 1ère Partie (jusqu’à 800 h)

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Rosset, G
Lenguaje:fre
Publicado: 1960
Materias:
Accelerators and Storage Rings
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/2832696
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