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Caractérisation de la résistance aux radiations du silicium monocristallin de type N de haute pureté et haute résistivité: application au développement de détecteurs à pixels pour l'expérience ATLAS auprès du collisionneur LHC
| Autor principal: | |
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| Lenguaje: | fre |
| Publicado: |
Aix-Marseille 2
1995
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://cds.cern.ch/record/292751 |