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Caractérisation de la résistance aux radiations du silicium monocristallin de type N de haute pureté et haute résistivité: application au développement de détecteurs à pixels pour l'expérience ATLAS auprès du collisionneur LHC

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Arrighi, C
Lenguaje:	fre
Publicado:	Aix-Marseille 2 1995
Materias:	Detectors and Experimental Techniques
Acceso en línea:	http://cds.cern.ch/record/292751

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