Cargando…

Defects studies in high-energy ion implanted semiconductors

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Weyer, G, Bonde-Nielsen, K, Fanciulli, M
Lenguaje:eng
Publicado: 1994
Materias:
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/298215

Ejemplares similares