23rd International Conference on Defects in Semiconductors

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Oshiyama, A, Maeda, KA, Ithon, K M, Katayama-Yoshida, H
Lenguaje:eng
Publicado: 2006
Materias:
XX
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/944561

Internet

http://cds.cern.ch/record/944561

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