Mid-infrared Photoconductive Response in AlGaN/GaN Step Quantum Wells

AlGaN/GaN quantum structure is an excellent candidate for high speed infrared detectors based on intersubband transitions. However, fabrication of AlGaN/GaN quantum well infrared detectors suffers from polarization-induced internal electric field, which greatly limits the carrier vertical transport....

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Rong, X., Wang, X. Q., Chen, G., Zheng, X. T., Wang, P., Xu, F. J., Qin, Z. X., Tang, N., Chen, Y. H., Sang, L. W., Sumiya, M., Ge, W. K., Shen, B.
Ձևաչափ: Online Հոդված Տեքստ
Լեզու:English
Հրապարակվել է: Nature Publishing Group 2015
Խորագրեր:
Article
Առցանց հասանելիություն:https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4585772/
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26395756
http://dx.doi.org/10.1038/srep14386

Համացանց

https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4585772/
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26395756
http://dx.doi.org/10.1038/srep14386

Նմանատիպ նյութեր