Correction: Park, J.; et al. Fine-Grained Power Gating Using an MRAM-CMOS Non-Volatile Flip-Flop. Micromachines 2019, 10, 411

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Park, Jaeyoung, Yim, Young Uk
Formato: Online Artículo Texto
Lenguaje:English
Publicado: MDPI 2019
Materias:
Correction
Acceso en línea:https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7019980/
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31861608
http://dx.doi.org/10.3390/mi11010011

Internet

https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7019980/
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