Բեռնվում է…
Suppression of stacking fault expansion in a 4H-SiC epitaxial layer by proton irradiation
SiC bipolar degradation, which is caused by stacking fault expansion from basal plane dislocations in a SiC epitaxial layer or near the interface between the epitaxial layer and the substrate, is one of the critical problems inhibiting widespread usage of high-voltage SiC bipolar devices. In the pre...
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Online Հոդված Տեքստ |
| Լեզու: | English |
| Հրապարակվել է: |
Nature Publishing Group UK
2022
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC9378728/ https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/35970877 http://dx.doi.org/10.1038/s41598-022-17060-y |